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厂商型号

KSA643CYTA_Q 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT PNP Epitaxial Transistor

内部编号

3-KSA643CYTA-Q

#1

数量:1264
1+¥0.322
25+¥0.232
100+¥0.206
250+¥0.18
500+¥0.161
30000+¥0.161
最小起订量:1
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KSA643CYTA_Q产品详细规格

Status Active
封装 Ammo
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO - 5 V
最大功率耗散 0.5 W
直流集电极/增益hfe最小值 40
直流电流增益hFE最大值 400
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 20 V
安装风格 Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO - 40 V
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 TO-92
集电极最大直流电流 0.5 A
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS No
连续集电极电流 - 0.5 A

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